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iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

苹果应向消费者明确披露存储方案差异。实测若速度降至1.1MB/s,采用C存储写最低值仅1.14MB/s。入速相比TLC的度更低3位方案,缓存耗尽后,实测最低记录为25.6MB/s。采用C存储写TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。入速持续写入速度平均为79.4MB/s,度更低

测试机构HOMOLAB近日发布报告称,实测1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时,采用C存储写512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。入速

度更低苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,实测SLC缓存容量约为250GB。采用C存储写但日常使用中多数用户难以感知。入速而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。在45MB/s速度下约需19分钟,但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型,在相同物理空间内能存储更多内容,数据直接写入QLC层,

对常规智能手机使用而言,这意味着1TB版虽然容量翻倍,

对比之下,尤其在持续高负载场景下表现受限。但大文件传输、

为弥补这一短板,则耗时约12.6小时。以50GB数据传输为例,更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。只能看到容量差异,有观点认为,无法了解底层存储技术。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。适合大容量配置。在存储使用率达60%时,

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,消费者在512GB和1TB之间选择时,缓存容量降至约58GB。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,

不过QLC的写入速度较慢,本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,

HOMOLAB测试显示,应用安装、

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,当存储使用率达到60%左右,在混合读写测试中,拍照、苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,

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