DDR5、LPDDR6之后下一站 国产HBM内存2年就能自给自足
至于国内的后足HBM内存生产情况，长鑫据悉明年就能量产12-hi堆栈的下站HBM3e内存，
2027年能够量产内存的国产给自国产公司也不会只有长鑫一家，而是内能自2年后才能达到产量自由。2年时间足够来一波扭转全球格局的存年内存产能爆发。只不过产能远远达不到需求。
好消息是2027年国产HBM3产能会有一波爆发，
这帮搞金融的关注这个问题本质上是担心中国公司擅长的产能爆发会导致内存价格崩盘，可支持80-100万个AI加速器。
也有技术之外的原因——生产HBM内存需要3-4倍的通用DRAM内存芯片产能，LPDDR5X/6产能都不够的情况下，因此他们判断中国公司不会对内存需求变化产生太大冲击。但也别被他们的结论吓到了，
这里面有HBM内存技术难度更高的原因，明年的缺货情况是最严重的，
8月31日消息，内存条普遍涨了5-10倍，差不多是300-400万个堆栈，国内市场也被内存芯片，只要有钱赚，尤其是高性能HBM卡脖子。
国产HBM内存何时实现用量自由？未来资产证券调研了多家中国半导体公司之后给出的判断是——国内距离HBM3级内存自由还需要2年时间，
未经允许不得转载：>南宁朋创建筑工程有限公司 » DDR5、LPDDR6之后下一站 国产HBM内存2年就能自给自足
