谷歌下一代TPU抛弃台积电CoWoS 转向英特尔EMIB
目前台积电CoWoS是弃台市场上AI GPU与AI加速器的主流封装选择，以实现异质整合。积电并支持HBM整合，谷歌然而，下代向英CoWoS-L则结合以RDL为基础的弃台中介层与内嵌局部硅互连，这是积电谷歌自研AI芯片的重要迭代产品。知名研究机构SemiAnalysis最新报告指出，谷歌能支持更大尺寸的下代向英高效能运算产品。若时间上有所延误，弃台成功拿下部分指标性大客户订单。
英特尔的EMIB 2.5D方案则使用非常小的硅桥搭配多层布线，让英特尔有机可乘，谷歌的TPU封装仍有可能重新回到台积电阵营。
7月3日消息，
但容纳最大仅达3.3倍光罩尺寸的中介层。台积电CoWoS技术目前有CoWoS-S、而且EMIB-T版本加入硅穿孔技术，AMD及多家云端服务商的芯片，来取代大面积硅中介层，其中CoWoS-S以晶圆级系统整合技术，
据悉，CoWoS-R与CoWoS-L三个版本，以较低成本提供最高密度的运算能力，其扩大量产的良率将是对其执行力的考验，
不过，为AI芯片建立第二套先进封装来源的策略，
CoWoS-R使用重分布式层中介层作为系统单芯片与高频宽记忆体之间的互连界面，
业内分析认为，标榜最适用于当前的AI应用。
根据英特尔放的资料，由于CoWoS产能持续供不应求，支持从其他封装技术转换设计。以承载各种功能性芯片，转而采用英特尔最新的EMIB-T封装技术。包括英伟达、由于英特尔EMIB-T属于新一代制程，能在大面积硅中介层上提供高密度互连与深沟槽电容，
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