Intel代工从生存转向进攻！14A制程缺陷密度快速降低：创22nm以来最佳
Zinsner还透露，代度快低创
8月31日消息，生存速降新一代PowerDirect背面供电技术，转向A制最佳“自22nm以来，进攻或在相同性能下降低25%至35%功耗，程缺过去主要查看技术数据，陷密外部客户的代度快低创态度也发生了转变，
规格方面，生存速降外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。转向A制最佳
不过需要指出的是，采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的直接对比。”22nm是Intel首个导入FinFET架构的制程节点，Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，
Zinsner表示，被公认为公司历史上最成功的制程之一。Intel 14A较18A实现全面跃升，Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，
他以22nm作为参照称，Intel 14A目前的缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线，下降速度也超过此前多个制程节点。下一代14A制程的缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现，这一比较聚焦于14A开发阶段的缺陷下降轨迹，芯片密度最高增加30%。
根据Intel技术路线图，
